IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQFH55N04NM6ATMA1 von Infineon und IQDH35N03LM5SCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQFH55N04NM6ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
Gehäuse PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
RoHS-Status Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
MSL-Level — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

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