IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQFH55N04NM6ATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQFH55N04NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,38 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| Boîtier | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |