IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQFH55N04NM6ATMA1 por Infineon e IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQFH55N04NM6ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
Encapsulamento PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Status RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Nível MSL — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Fichas técnicas e recursos

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