IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2104SPBF von Infineon und 2ED2103S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2104SPBF 2ED2103S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $0,94
Funktion Half-bridge gate driver Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High and Low Side Non-Inverting
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Anstiegszeit 160 ns typical —
Abfallzeit 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) —
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +125C
Gehäuse 8-pin SOIC PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
RoHS-Status Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Montageart — Surface Mount
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

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