IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2104SPBF por Infineon y 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2104SPBF 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,41 $0,94
Función Half-bridge gate driver Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High and Low Side Non-Inverting
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Tiempo de subida 160 ns typical —
Tiempo de bajada 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) —
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado 8-pin SOIC PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Estado RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Tipo de montaje — Surface Mount
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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