IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2104SPBF por Infineon e 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2104SPBF 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,94
Função Half-bridge gate driver Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High and Low Side Non-Inverting
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Tempo de subida 160 ns typical —
Tempo de descida 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) —
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulamento 8-pin SOIC PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Status RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Tipo de montagem — Surface Mount
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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