IR2104SPBF vs 2ED2103S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: IR2104SPBF メーカー: Infineon および 2ED2103S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ 生産中
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IR2104SPBF 2ED2103S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.41 $0.94
機能 Half-bridge gate driver Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High and Low Side Non-Inverting
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
立ち上がり時間 160 ns typical —
立ち下がり時間 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) —
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
動作温度範囲 -40 C to +125 C -40C to +125C
パッケージ 8-pin SOIC PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
実装タイプ — Surface Mount
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

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