IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21271STRPBF von Infineon und IR21531STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21271STRPBF IR21531STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,82 $0,70
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Anzahl der Ausgänge 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
Abfallzeit [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
RoHS-Status — Compliant (ROHS3)

Datenblätter & Ressourcen

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