IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon y IR21531STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21271STRPBF IR21531STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $0,70
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Número de salidas 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Estado RoHS — Compliant (ROHS3)

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