IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21271STRPBF par Infineon et IR21531STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21271STRPBF IR21531STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $0,70
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Nombre de sorties 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Statut RoHS — Compliant (ROHS3)

Fiches techniques et ressources

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