IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon e IR21531STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR21271STRPBF IR21531STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,82 $0,70
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Número de saídas 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
Tempo de descida [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Status RoHS — Compliant (ROHS3)

Fichas técnicas e recursos

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