IR21271STRPBF vs IR21531STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR21271STRPBF 제조: Infineon 및 IR21531STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR21271STRPBF IR21531STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.82 $0.70
Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
출력 수 1 2 (high-side, low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V 10 V to 20 V
High-Side Offset Voltage 600 V max up to 600 V
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
상승 시간 [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns
하강 시간 [DATA_NEEDED: fall time] 45 ns
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 8-SOIC (3.90 mm) 8-pin SOIC (SO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Internal VCC Clamp — 15.6 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
RoHS 상태 — Compliant (ROHS3)

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