IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2127STRPBF von Infineon und IR21271STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2127STRPBF IR21271STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $1,82
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 1 1
Anstiegszeit 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
Abfallzeit 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Datenblätter & Ressourcen

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