IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2127STRPBF por Infineon y IR21271STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2127STRPBF IR21271STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $1,82
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
Número de salidas 1 1
Tiempo de subida 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
Tiempo de bajada 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

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