IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2127STRPBF par Infineon et IR21271STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2127STRPBF IR21271STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $1,82
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
Nombre de sorties 1 1
Temps de montée 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
Temps de descente 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Fiches techniques et ressources

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