IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2127STRPBF 제조: Infineon 및 IR21271STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2127STRPBF IR21271STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $1.82
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
출력 수 1 1
상승 시간 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
하강 시간 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
동작 온도 범위 -40C to +125C —
패키지 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
동작 온도 — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

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