IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2127STRPBF por Infineon e IR21271STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2127STRPBF IR21271STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,82
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
Número de saídas 1 1
Tempo de subida 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
Tempo de descida 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Temperatura de operação — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Fichas técnicas e recursos

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