IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2153STRPBF von Infineon und IRS2153DSTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Anzahl der Ausgänge 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL-Level 1 —
Topologie — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern