IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2153STRPBF por Infineon e IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Número de saídas 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nível MSL 1 —
Topologia — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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