IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2153STRPBF par Infineon et IRS2153DSTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Nombre de sorties 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 —
Topologie — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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