IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2153STRPBF por Infineon y IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Número de salidas 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nivel MSL 1 —
Topología — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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