IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2153STRPBF от Infineon и IRS2153DSTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Количество выходов 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Уровень MSL 1 —
Топология — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену