IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2304SPBF von Infineon und 1EDN7146UXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,82
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Gehäuse 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Abfallzeit — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datenblätter & Ressourcen

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