IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 比較

詳細な並列比較: IR2304SPBF メーカー: Infineon および 1EDN7146UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.82
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
出力数 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
パッケージ 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
立ち上がり時間 — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
立ち下がり時間 — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

データシート&リソース

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