IR2304SPBF vs 1EDN7146UXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2304SPBF par Infineon et 1EDN7146UXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2304SPBF 1EDN7146UXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,82
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Nombre de sorties 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Boîtier 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Temps de montée — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Temps de descente — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Fiches techniques et ressources

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