IR2304SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2304SPBF von Infineon und 2ED2304S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2304SPBF 2ED2304S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels Yes (VCC and VB-VS)
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Gehäuse 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic Infineon thin-film SOI
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
MSL-Level — 2

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