IR2304SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2304SPBF par Infineon et 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2304SPBF 2ED2304S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Nombre de sorties 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels Yes (VCC and VB-VS)
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Boîtier 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic Infineon thin-film SOI
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Niveau MSL — 2

Fiches techniques et ressources

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