IR2304SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2304SPBF por Infineon e 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2304SPBF 2ED2304S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Número de saídas 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels Yes (VCC and VB-VS)
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Encapsulamento 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic Infineon thin-film SOI
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Nível MSL — 2

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação