IR2304SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2304SPBF 제조: Infineon 및 2ED2304S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IR2304SPBF 2ED2304S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.48 $0.66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
출력 수 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels Yes (VCC and VB-VS)
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
패키지 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic Infineon thin-film SOI
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
MSL 레벨 — 2

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