IRF1310NSTRLPBF vs IPB100N12S305ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1310NSTRLPBF von Infineon und IPB100N12S305ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1310NSTRLPBF IPB100N12S305ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,95
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gehäuse D2PAK (TO-263AB) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 120V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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