IRF1310NSTRLPBF vs IPB100N12S305ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1310NSTRLPBF por Infineon e IPB100N12S305ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1310NSTRLPBF IPB100N12S305ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $1,95
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 120V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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