IRF1310NSTRLPBF vs IPB100N12S305ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IPB100N12S305ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NSTRLPBF IPB100N12S305ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,95
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier D2PAK (TO-263AB) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 120V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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