IRF1407PBF vs IRF1010EPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1407PBF von Infineon und IRF1010EPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1407PBF IRF1010EPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Montageart Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
RoHS-Status — RoHS3 Compliant
MSL-Level — 3 (168 Hours)
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Datenblätter & Ressourcen

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