IRF1407PBF vs IRF1010EPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1407PBF par Infineon et IRF1010EPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1407PBF IRF1010EPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
Statut RoHS — RoHS3 Compliant
Niveau MSL — 3 (168 Hours)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Fiches techniques et ressources

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