IRF1407PBF vs IRF1010EPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1407PBF por Infineon e IRF1010EPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1407PBF IRF1010EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
Status RoHS — RoHS3 Compliant
Nível MSL — 3 (168 Hours)
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Fichas técnicas e recursos

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