IRF3205STRLPBF vs IRL3705NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3205STRLPBF von Infineon und IRL3705NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3205STRLPBF IRL3705NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,92
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) —
Gehäuse TO-263-3 (D2PAK) TO-220AB (3-pin through-hole)
Montageart Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (planar cell, fifth generation)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 89 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc — 170 W
On-Resistance R_DS(on) — 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V)
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — 65.3 nC
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Rated — Yes (ruggedized single-pulse avalanche)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
RoHS-Status — Compliant (per PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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