IRF3205STRLPBF vs IRL3705NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF3205STRLPBF por Infineon e IRL3705NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF3205STRLPBF IRL3705NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $0,92
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulamento TO-263-3 (D2PAK) TO-220AB (3-pin through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (planar cell, fifth generation)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 89 A
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc — 170 W
On-Resistance R_DS(on) — 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V)
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — 65.3 nC
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Rated — Yes (ruggedized single-pulse avalanche)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Status RoHS — Compliant (per PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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