IRF3205STRLPBF vs IRL3705NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF3205STRLPBF par Infineon et IRL3705NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF3205STRLPBF IRL3705NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,92
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) —
Boîtier TO-263-3 (D2PAK) TO-220AB (3-pin through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (planar cell, fifth generation)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 89 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc — 170 W
On-Resistance R_DS(on) — 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V)
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — 65.3 nC
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Rated — Yes (ruggedized single-pulse avalanche)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Statut RoHS — Compliant (per PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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