IRF520NPBF vs IRF530NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF520NPBF von Infineon und IRF530NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF520NPBF IRF530NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,66 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) —
Montageart Through Hole Through Hole
MSL-Level 1 (unlimited) N/A (through-hole)
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number — IRF530NPBF
Transistortyp — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Datenblätter & Ressourcen

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