IRF520NPBF vs IRF530NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon e IRF530NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF520NPBF IRF530NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Nível MSL 1 (unlimited) N/A (through-hole)
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number — IRF530NPBF
Tipo de transistor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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