IRF520NPBF vs IRF530NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF520NPBF par Infineon et IRF530NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF520NPBF IRF530NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Niveau MSL 1 (unlimited) N/A (through-hole)
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number — IRF530NPBF
Type de transistor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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