IRF520NPBF vs IRF530NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF520NPBF от Infineon и IRF530NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF520NPBF IRF530NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус TO-220AB (through-hole) —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Уровень MSL 1 (unlimited) N/A (through-hole)
Статус RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number — IRF530NPBF
Тип транзистора — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Корпус / Типоразмер — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену