IRF530NPBF vs IRF520NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF530NPBF von Infineon und IRF520NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF530NPBF IRF520NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,66
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Transistortyp N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform TO-220AB (through-hole) —
Montageart Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
MSL-Level N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Gehäuse — TO-220AB (through-hole)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

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