IRF530NPBF vs IRF520NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF530NPBF por Infineon e IRF520NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF530NPBF IRF520NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,66
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Tipo de transistor N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Nível MSL N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — TO-220AB (through-hole)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Fichas técnicas e recursos

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