IRF530NPBF vs IRF520NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF530NPBF par Infineon et IRF520NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF530NPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,66 |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Type de transistor | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier / Format | TO-220AB (through-hole) | — |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Niveau MSL | N/A (through-hole) | 1 (unlimited) |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Boîtier | — | TO-220AB (through-hole) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| Technology | — | HEXFET (vertical DMOS) |