IRF530NPBF vs IRF520NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF530NPBF от Infineon и IRF520NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF530NPBF IRF520NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,66
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Тип транзистора N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус / Типоразмер TO-220AB (through-hole) —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Уровень MSL N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Корпус — TO-220AB (through-hole)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену