IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF640NPBF von Infineon und IRF640NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF640NPBF IRF640NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $0,89
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode —
Gehäuse TO-220AB (through-hole, 3-pin) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Montageart Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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