IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et IRF640NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NPBF IRF640NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $0,89
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Type de montage Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis