IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF640NPBF por Infineon e IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF640NPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $0,89
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-pin) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Faixa de temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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