IRF640NPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF640NPBF por Infineon y IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF640NPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,89
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3-pin) D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount (Tape and Reel)
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

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